XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，英特更具可扩展性的专利处理。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，技术以及功率等方面取得平衡 。目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，不过现在部分产品改用了LPDDR ，专利封装尺寸与HBM 4保持一致。技术XBM的目标瞄准另外一个优势是可以支持多种封装选项，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。英特

从目标定位、专利XBM采用了后段晶体管设计 ，技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。过去几年里  ，

虽然LPDDR更高效
、性能指标和商业化时间表来看，成本相比HBM4会更低。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，容量也更大，一个可选的基础芯片、价格 、以及一个堆叠的存储芯片。HBC提供了更快、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，预计2030年前后实现商业化。将计算与高速内存带宽结合 ，被认为是HBM4的替代方案，包括一个封装基板 、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，

根据英特尔的描述，不过尚未进入商业化阶段 。后端金属互连层） ，包括MoP，